半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀是為了適應(yīng)當(dāng)前迅速發(fā)展中的高分子半導(dǎo)電納米材料電阻率測(cè)試需要,參照有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的。 儀器的電流輸出為 10 μA - 100 mA ，電阻率測(cè)試范圍為 10 -2 - 10 5 Ω cm，直接采用數(shù)字顯示。儀器的可靠性和穩(wěn)定性增強(qiáng)，更方便于用戶(hù)。配置不同的測(cè)試架可以對(duì)半導(dǎo)體粉末、高分子納米粉末和固態(tài)金屬進(jìn)行電阻、電阻率多用途的測(cè)量。半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀適用于有機(jī)、無(wú)機(jī)半導(dǎo)體粉末材料(包括納米級(jí))的電阻率測(cè)量, 也可以測(cè)量固體半導(dǎo)體材料，特別適合于太陽(yáng)能多晶硅、硅粉質(zhì)量的測(cè)量、分選和質(zhì)量控制. 電阻率值直接數(shù)字顯示由具有高加壓系統(tǒng), 高度測(cè)量的測(cè)試臺(tái)和儀器組成。半導(dǎo)體粉末電阻率測(cè)試儀主要包括電氣箱和測(cè)試架兩部分，電氣測(cè)試部分由高直流數(shù)字電壓表和直流恒定電流源組成。測(cè)試架為壓力傳感器， 加壓機(jī)構(gòu)和粉末標(biāo)準(zhǔn)容器組成。壓力機(jī)構(gòu)采用手動(dòng)操作、壓力平穩(wěn)。本儀器具有測(cè)量高，穩(wěn)定性好，重復(fù)性好，使用方便等特點(diǎn)， 并有自校功能。本儀器采用國(guó)際通用的電流-電壓降法即四端子測(cè)量法，可以消除電極與粉末接觸產(chǎn)生的接觸電阻誤差，還可以消除聯(lián)接系統(tǒng)所帶來(lái)的誤差， 克服了以往傳統(tǒng)的二端測(cè)量粉末電阻率儀器的弊病，真實(shí)地測(cè)量出粉末樣品的電阻率，因此重復(fù)性好。本儀器適用于碳素廠(chǎng)、焦化廠(chǎng)、石化廠(chǎng)、粉末冶金廠(chǎng)、高等院校、科研部門(mén)、是檢驗(yàn)和分析固態(tài)、粉態(tài)和納米樣品質(zhì)量的一種工具。
主要參數(shù)：
測(cè)量范圍：
電阻 10-4 - 105 Ω, 分辨率 10-4 Ω
電阻率 10-4 - 105 Ω.cm，分辨率 10-4 Ω.cm
測(cè)量誤差 ±（0.3% 讀數(shù) + 2 字）
測(cè)量電壓量程：20mV, 200mV, 2V，分辨率 10 μV
測(cè)量: ±（0.3% 讀數(shù) + 2 字）
測(cè)量電流：0 - 100 mA 連續(xù)可調(diào)，
電流量程：10 μA, 100 μA, 1 mA, 10 mA, 100mA
試樣粒度：40 目以下 - 60 目以上（標(biāo)準(zhǔn)篩網(wǎng)）納米粉末
試樣容器：內(nèi)腔Φ16.30 ± 0.1mm
試樣高度：16mm ± 0.5mm
測(cè)量誤差：±0.1mm
取樣壓力：4 Mpa ± 0.05 Mpa ( 40 kg/cm2 ± 0.5 kg/cm2)
壓力量程：0 - 100 kg 可調(diào)
顯示方式: 電阻、電阻率、壓力為 3 1/2 數(shù)字顯示,并自動(dòng)顯示單位和小數(shù)點(diǎn)
電源：220 ± 10% , 50HZ-60HZ, 功率消耗 < 150W 消耗
外形尺寸電氣箱：440mm×120mm×320mm
備有粉末測(cè)試架和固態(tài)標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試臺(tái)供選用
BXTZ-08半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀
半導(dǎo)體導(dǎo)電型號(hào)鑒別儀是為了鑒別硅單晶材料的導(dǎo)電類(lèi)型 “P"和 “N"的測(cè)量?jī)x器,是采用溫差效應(yīng)和整流效應(yīng)兩種方法相結(jié)合綜合性的測(cè)量導(dǎo)電型號(hào)儀器，測(cè)量范圍廣硅材料電阻率從10-4~103Ω?cm，儀器采用高靈敏度放大電路和判別電路，將材料上的微弱信號(hào)放大，并用 “P" “N"數(shù)碼直接顯示，儀器采用手持式四探然探頭，使用簡(jiǎn)單，操作方便，且壽命長(zhǎng)，適合半導(dǎo)體材料廠(chǎng)、器件廠(chǎng)和科研部門(mén)需要。用作太陽(yáng)能多晶材料分選時(shí)，采用整流法,對(duì)<0.1Ω-cm的材料具有聲光B警功能，廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的原材料篩選環(huán)節(jié),快速高效。
主要參數(shù)：
測(cè)量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω?cm
溫差法：10-4~10Ω?cm
整流法：10~103Ω?cm，并對(duì)<0.1Ω?cm的材料具有聲光報(bào)警功能。
可測(cè)量材料：半導(dǎo)體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測(cè)半導(dǎo)體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
顯示方式：P、N 燈顯示。
測(cè)試探頭：手持式 探針間距3mm探針Φ1mm 高速鋼
電源：220V 50HZ 20W
儀器尺寸：100×260×260
